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RN1911FETE85LF

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: ES6
數(shù)量：: 7866
說明：: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1911FETE85LF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：100mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：-
電阻器 - 基極 (R1)：10 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1911FETE85LF的詳細(xì)信息，包括RN1911FETE85LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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