點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：S-Mini
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：200 mW
頻率 - 躍遷：30 MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：100mV @ 3mA，30mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 4mA，2V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：-
電阻器 - 基極 (R1)：10 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：300 mA
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是RN1442ATE85LF的詳細信息，包括RN1442ATE85LF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

EMB10FHAT2R

RN2714,LF

ADC113TUQ-13

ADA123JUQ-13

UMG3N-TP

HD1A3M(0)-T1-AZ

ACX115EUQ-7R

ACX115EUQ-13R

EMH1FHAT2R

PUMH2/DG/B3,115