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RK3055ETL

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 CPT3
數(shù)量:
 4086  
說明:
 MOSFET N-CHAN
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RK3055ETL-CPT3圖片

RK3055ETL PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:20 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:CPT3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.15 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor

以上是RK3055ETL的詳細(xì)信息,包括RK3055ETL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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