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RFP30N06LE_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 3186
說(shuō)明：: MOSFET TO-220AB N-Ch Power

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RFP30N06LE_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
上升時(shí)間：88 ns
功率耗散：96 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：40 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.047 Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：- 8 V, + 10 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RFP30N06LE_Q的詳細(xì)信息，包括RFP30N06LE_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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