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RFP12N10L_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 3123  
說明:
 MOSFET TO-220AB N-Ch Power
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RFP12N10L_Q-TO-220AB圖片

RFP12N10L_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:100 ns
上升時(shí)間:70 ns
功率耗散:60 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:80 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RFP12N10L_Q的詳細(xì)信息,包括RFP12N10L_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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