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RFD16N05_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-251
數(shù)量：: 2691
說明：: MOSFET TO-251AA N-Ch Power

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RFD16N05_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：55 ns
上升時間：30 ns
功率耗散：72 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.047 Ohms
漏極連續(xù)電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RFD16N05_Q的詳細信息，包括RFD16N05_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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