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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > R6006ANX

R6006ANX

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TO-220FM
數(shù)量：: 8505
說明：: MOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET

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R6006ANX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：50 ns
上升時間：18 ns
功率耗散：40 W
柵極電荷 Qg：15 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1.7 S
下降時間：35 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是R6006ANX的詳細(xì)信息，包括R6006ANX廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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