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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > QS8J1TR

QS8J1TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TSMT8
數(shù)量：: 1837
說明：: MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching

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QS8J1TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：390 ns
上升時間：75 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：215 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSMT-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：29 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是QS8J1TR的詳細(xì)信息，包括QS8J1TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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