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PTFB192503EL V1 R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-33288-6
數(shù)量:
 3132  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB192503EL V1 R250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:FB192503ELV1R25NT PTFB192503ELV1R250XTMA1 SP000667606
系列:PTFB192503
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.03 Ohms
最小工作溫度:- 40 C
封裝形式:H-33288-6
最大工作溫度:+ 125 C
閘/源擊穿電壓:10 V
漏極連續(xù)電流:1.9 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
配置:Single
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFB192503EL V1 R250的詳細信息,包括PTFB192503EL V1 R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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