日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > PTFB182503EL V1

PTFB182503EL V1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-33288-6
數(shù)量：: 2988
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9

一、本商品被瀏覽0次.

PTFB182503EL V1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FB182503ELV1NP
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.03 Ohms
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-33288-6
最大工作溫度：+ 125 C
閘/源擊穿電壓：10 V
漏極連續(xù)電流：1.85 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFB182503EL V1的詳細(xì)信息，包括PTFB182503EL V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：

1755063-3

G3NA-410B-UTU AC100-240