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PTFA261702E V1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-30275-4
數(shù)量:
 6219  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA261702E V1-H-30275-4圖片

PTFA261702E V1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:H-30275-4
封裝/外殼:2-扁平封裝,葉片引線
安裝類型:表面貼裝型
電壓 - 額定:65 V
功率 - 輸出:170W
電流 - 測試:1.8 A
噪聲系數(shù):-
額定電流(安培):10μA
電壓 - 測試:28 V
增益:15dB
頻率:2.66GHz
配置:-
技術(shù):LDMOS
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies

以上是PTFA261702E V1的詳細信息,包括PTFA261702E V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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