日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > PTFA212401E V4 R250

PTFA212401E V4 R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36260-2
數(shù)量：: 6093
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 240 W 2110-2170 MHz

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA212401E V4 R250 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：H-36260-2
封裝/外殼：H-36260-2
安裝類型：底座安裝
電壓 - 額定：65 V
功率 - 輸出：50W
電流 - 測試：1.6 A
噪聲系數(shù)：-
額定電流（安培）：10μA
電壓 - 測試：30 V
增益：15.8dB
頻率：2.14GHz
配置：-
技術(shù)：LDMOS
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是PTFA212401E V4 R250的詳細信息，包括PTFA212401E V4 R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：