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PTFA081501FV1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-31248-2
數(shù)量:
 2610  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA081501FV1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:449 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
包裝形式:Tray
封裝形式:H-31248-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:950 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:150 W
增益:18 dB
頻率:864 MHz to 900 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA081501FV1的詳細(xì)信息,包括PTFA081501FV1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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