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PSMN1R6-30PL,127

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 2088
說明：: MOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET

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PSMN1R6-30PL,127 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：174 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：163 ns
功率耗散：306 W
下降時間：87 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.7 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PSMN1R6-30PL,127的詳細(xì)信息，包括PSMN1R6-30PL,127廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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