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PN200_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 6327
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

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PN200_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80 at 100 uA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：250 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是PN200_Q的詳細信息，包括PN200_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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