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NSVBC123JDXV6T1G

廠家:
  onsemi
封裝:
 SOT-563
數(shù)量:
 5805  
說(shuō)明:
 SS SOT563 SRF MT RST XSTR
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NSVBC123JDXV6T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝/外殼:表面貼裝型
功率 - 最大值:357mW
頻率 - 躍遷:-
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 1mA,10mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2):47 千歐
電阻器 - 基極 (R1):2.2 千歐
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
晶體管類型:2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式(雙)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi

以上是NSVBC123JDXV6T1G的詳細(xì)信息,包括NSVBC123JDXV6T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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