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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PMWD19UN /T3

PMWD19UN /T3

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TSSOP-8
數(shù)量：: 5697
說明：: MOSFET TAPE13 PWR-MOS

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PMWD19UN /T3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PMWD19UN,518
典型關(guān)閉延遲時間：56 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：23 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：TSSOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.023 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PMWD19UN /T3的詳細(xì)信息，包括PMWD19UN /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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