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PMDT290UCE,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-666
數(shù)量：: 12673
說明：: MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET

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PMDT290UCE,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
上升時(shí)間：4 ns, 30 ns
功率耗散：330 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：0.45 nC, 0.76 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1.6 S
下降時(shí)間：31 ns, 72 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-666
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.29 Ohms, 0.67 Ohms
漏極連續(xù)電流：800 mA, - 550 mA
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PMDT290UCE,115的詳細(xì)信息，包括PMDT290UCE,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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