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PHP119NQ06T

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 1881  
說明:
 MOSFET TRENCHMOS (TM)FET
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PHP119NQ06T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:PHP119NQ06T,127
典型關(guān)閉延遲時間:77 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:52 ns
功率耗散:200 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:41 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0071 Ohms
漏極連續(xù)電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:NXP

以上是PHP119NQ06T的詳細(xì)信息,包括PHP119NQ06T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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