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PHM30NQ10T,518

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 8-HVSON（5x6）
數(shù)量：: 4851
說明：: MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1

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PHM30NQ10T,518 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 18A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs53.7nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C37.6A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 3600pF @ 25V
功率 - 最大62.5W
安裝類型表面貼裝

以上是PHM30NQ10T,518的詳細信息，包括PHM30NQ10T,518廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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