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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PHB45NQ10T /T3

PHB45NQ10T /T3

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-404
數(shù)量：: 1575
說明：: MOSFET TRENCH-100

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PHB45NQ10T /T3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PHB45NQ10T,118
典型關(guān)閉延遲時間：69 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：72 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：58 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SOT-404
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.025 Ohms
漏極連續(xù)電流：47 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB45NQ10T /T3的詳細信息，包括PHB45NQ10T /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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