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PHB146NQ06LT,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 3969
說明：: MOSFET TRENCHMOS (TM) FET

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PHB146NQ06LT,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：18 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：36 ns
功率耗散：79 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.09 Ohms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：NXP

以上是PHB146NQ06LT,118的詳細信息，包括PHB146NQ06LT,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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