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PH5330E,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: LFPAK56，Power-SO8
數(shù)量：: 3582
說明：: MOSFET N-CH TRENCH 30V

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PH5330E,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PH5330E T/R
典型關(guān)閉延遲時間：56 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：22 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0057 Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PH5330E,115的詳細(xì)信息，包括PH5330E,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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