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PEMT1 T/R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-666
數(shù)量：: 8658
說明：: 兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

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PEMT1 T/R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PEMT1,115
工廠包裝數(shù)量：4000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：200 mW
集電極連續(xù)電流：0.1 A
封裝形式：SOT-666
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120 at 1 mA at 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
集電極—射極飽和電壓：5 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PEMT1 T/R的詳細(xì)信息，包括PEMT1 T/R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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