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PEMT1,315

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-666
數(shù)量：: 5481
說明：: 兩極晶體管 - BJT 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist

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PEMT1,315 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
認證機構(gòu)：
封裝封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：300mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 PNP（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是PEMT1,315的詳細信息，包括PEMT1,315廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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