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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PD85006-E

PD85006-E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 10-PowerSO
數(shù)量：: 2349
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic

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PD85006-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：10-PowerSO
封裝/外殼：PowerSO-10 裸露底部焊盤
安裝類型：-
電壓 - 額定：40 V
功率 - 輸出：6W
電流 - 測(cè)試：200 mA
噪聲系數(shù)：-
額定電流（安培）：2A
電壓 - 測(cè)試：13.6 V
增益：17dB
頻率：870MHz
配置：-
技術(shù)：LDMOS
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是PD85006-E的詳細(xì)信息，包括PD85006-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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