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PBSS3540E T/R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-75
數(shù)量：: 8163
說明：: 兩極晶體管 - BJT LOW VCESAT (BLISS) TAPE-7

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PBSS3540E T/R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PBSS3540E,115
工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：250 mW
集電極連續(xù)電流：0.5 A
封裝形式：SC-75
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 10 mA at 2 V
增益帶寬產品fT：300 MHz
集電極—射極飽和電壓：6 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PBSS3540E T/R的詳細信息，包括PBSS3540E T/R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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