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NVMFD5877NLT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-DFN(5x6)雙標(biāo)記(SO8FL-雙通道)
數(shù)量:
 7506  
說明:
 MOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
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NVMFD5877NLT1G-8-DFN(5x6)雙標(biāo)記(SO8FL-雙通道)圖片

NVMFD5877NLT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:23 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:DFN-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):60 mOhms
漏極連續(xù)電流:17 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NVMFD5877NLT1G的詳細(xì)信息,包括NVMFD5877NLT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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