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NTMD6P02R2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 6714  
說明:
 MOSFET 20V 6A P-Channel
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NTMD6P02R2G-8-SOIC圖片

NTMD6P02R2G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns, 85 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:65 ns, 20 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :15 S
下降時(shí)間:80 ns, 50 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.027 Ohms
漏極連續(xù)電流:- 7.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTMD6P02R2G的詳細(xì)信息,包括NTMD6P02R2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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