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NTLJS1102PTBG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-WDFN（2x2）
數(shù)量：: 6336
說明：: MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm

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NTLJS1102PTBG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：41 ns
功率耗散：3.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：70 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDFN-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.036 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 6 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTLJS1102PTBG的詳細(xì)信息，包括NTLJS1102PTBG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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