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NTLJF3117PT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-WDFN 裸露焊盤
數(shù)量：: 27950
說明：: MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM

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NTLJF3117PT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：13.7 ns, 19.8 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：13.2 ns, 15 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3.1 S
下降時間：13.2 ns, 15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDFN-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：100 m Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTLJF3117PT1G的詳細(xì)信息，包括NTLJF3117PT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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