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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTJD5121NT2G

NTJD5121NT2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-88/SC70-6/SOT-363
數(shù)量：: 14012
說明：: MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

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NTJD5121NT2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：34 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：34 ns
功率耗散：0.25 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：0.9 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：80 S
下降時間：32 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT363-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.6 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.295 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTJD5121NT2G的詳細(xì)信息，包括NTJD5121NT2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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