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NTHC5513T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: ChipFET?
數(shù)量：: 4626
說明：: MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary

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NTHC5513T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：10 ns at N Channel, 33 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：58 mOhms, 130 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.9 A, - 3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHC5513T1G的詳細信息，包括NTHC5513T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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