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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 4.7A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)12V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1053pF @ 6V
功率 - 最大700mW
安裝類型表面貼裝
以上是NTGS3447PT1G的詳細(xì)信息,包括NTGS3447PT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!