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NTGD3133PT1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 6-TSOP
數(shù)量：
 4185  
說明：
 MOSFET PFET 20V 2.3A 145MO
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NTGD3133PT1G-6-TSOP圖片

NTGD3133PT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.2 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：12.7 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：4 S
下降時(shí)間：12.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：145 m Ohms
漏極連續(xù)電流：- 2.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGD3133PT1G的詳細(xì)信息，包括NTGD3133PT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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