日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTD6600N-1G

NTD6600N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 3195
說明：: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

一、本商品被瀏覽0次.

NTD6600N-1G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C146 毫歐 @ 6A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 700pF @ 25V
功率 - 最大1.28W
安裝類型通孔

以上是NTD6600N-1G的詳細信息，包括NTD6600N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：