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NTD6416AN-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 3078
說明：: MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM

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NTD6416AN-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時間：22 ns
功率耗散：71 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：20 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：73 mOhms
漏極連續(xù)電流：17 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD6416AN-1G的詳細信息，包括NTD6416AN-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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