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NTD5862N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 7065
說明：: MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM

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NTD5862N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
上升時間：70 ns
功率耗散：115 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：60 ns
封裝形式：DPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：98 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD5862N-1G的詳細信息，包括NTD5862N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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