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NTD4857N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-Pak
數(shù)量：: 2268
說明：: MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK

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NTD4857N-35G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：18.6 ns, 26 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：20.6 ns, 18.7 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6.8 ns, 3.6 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0057 Ohms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4857N-35G的詳細(xì)信息，包括NTD4857N-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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