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NTD3808N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
數(shù)量：: 1530
說明：: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

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NTD3808N-1G-TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA圖片

NTD3808N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)16V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1660pF @ 12V
功率 - 最大1.3W
安裝類型通孔

以上是NTD3808N-1G的詳細(xì)信息，包括NTD3808N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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