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NTD3817N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
數(shù)量：: 1584
說明：: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

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NTD3817N-1G-TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA圖片

NTD3817N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C13.9 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)16V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.6A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 702pF @ 12V
功率 - 最大1.2W
安裝類型通孔

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