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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTD30N02T4

NTD30N02T4

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 1431
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

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NTD30N02T4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C14.5 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)24V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1000pF @ 20V
功率 - 最大75W
安裝類型表面貼裝

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