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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTB30N06G

NTB30N06G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 5085
說明：: MOSFET NFET 60V 30A

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NTB30N06G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：36 ns
功率耗散：88.2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：31 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.042 Ohms
漏極連續(xù)電流：27 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTB30N06G的詳細(xì)信息，包括NTB30N06G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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