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NGD18N40ACLBT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-252，（D-Pak）
數(shù)量：: 18
說明：: IGBT 晶體管

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NGD18N40ACLBT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
最大工作溫度：+ 175 C
功率耗散：115 W
在25 C的連續(xù)集電極電流：15 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：18 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：430 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGD18N40ACLBT4G的詳細信息，包括NGD18N40ACLBT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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