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NGD8201ANT4G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 TO-252，（D-Pak）
數(shù)量：
 666  
說明：
 IGBT 晶體管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
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NGD8201ANT4G-TO-252，（D-Pak）圖片

NGD8201ANT4G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
最大工作溫度：+ 175 C
功率耗散：125 W
柵極—射極漏泄電流：300 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流：20 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：15 V
集電極—射極飽和電壓：1.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：440 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：ON Semiconductor

以上是NGD8201ANT4G的詳細信息，包括NGD8201ANT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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