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NDT2955_J23Z

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-223
數(shù)量:
 2502  
說明:
 MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
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NDT2955_J23Z PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:10 ns
功率耗散:3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-223
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):95 m Ohms
漏極連續(xù)電流:- 2.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

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