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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDS8435A_Q

NDS8435A_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 2250
說明：: MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode

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NDS8435A_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：95 ns
上升時間：20 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：46 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 7.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS8435A_Q的詳細(xì)信息，包括NDS8435A_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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