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NDP603AL

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 855
說明：: MOSFET N-Channel FET LL Enhancement

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NDP603AL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：90 ns
上升時間：70 ns
功率耗散：50 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：80 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.022 Ohms
漏極連續(xù)電流：25 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDP603AL的詳細(xì)信息，包括NDP603AL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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