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NDD04N60Z-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 459
說明：: MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R

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NDD04N60Z-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：83 W
柵極電荷 Qg：19 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3.3 S
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.1 A
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NDD04N60Z-1G的詳細(xì)信息，包括NDD04N60Z-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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