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NDD04N50Z-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
數(shù)量：: 6867
說明：: MOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK

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NDD04N50Z-1G-TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA圖片

NDD04N50Z-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：61 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.7 Ohms
漏極連續(xù)電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NDD04N50Z-1G的詳細(xì)信息，包括NDD04N50Z-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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